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SiC單晶片 2英寸導電型單晶片

禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場,用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體功率器件。

SiC單晶片 3英寸導電型單晶片

禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場,用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體功率器件。

SiC單晶片 4英寸導電型單晶片

批量產品,禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場,用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體功率器件。

SiC單晶片 6英寸導電型單晶片

小批量試產產品,禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場,用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體功率器件。

SiC外延片 4英寸N型SiC外延片

禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場,用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體功率器件。

SiC外延片 6英寸N型SiC外延片

禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場,用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體功率器件。

SiC SBD CGC1S06506

電壓650V,電流6A,TO-220封裝,0反向回復特性,高頻、高可靠性。

SiC SBD CGF1S06506

電壓650V,電流6A,TO-263封裝,0反向回復特性,高頻、高可靠性。

SiC SBD CGC1S06508

電壓650V,電流8A,TO-220封裝,0反向回復特性,高頻、高可靠性。

SiC SBD CGC1S06510

電壓650V,電流10A,TO-220封裝,0反向回復特性,高頻、高可靠性。

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